（一）

（二）

（三）

如下图，如果在门极和衬底之间加垂直电场（注意这个电场并不能在门极和衬底之间形成电流，原因是门极和衬底之间有一层二氧化硅），这个电场会把N型半导体中的多子（空穴）往下推，会把P型半导体中的少子（自由电子）往上吸，这样就会形成左边箭头指的反型层，相当于在两口井之间形成导电沟道，这个沟道把两口井连在了一起，这个时候如果再在漏源(D-S)之间加电场，就导电了。

源极和衬底之间默认是连接的。

N沟道P型衬底

P沟道N型衬底

符号记忆方法：箭头方向是内电场方向（非外加电场）